直接成像 · 先进封装
面向大批量生产的直接成像子系统
面向晶圆和面板上的先进封装应用，包括扇出型封装、RDL、凸点和chiplet互连。无掩模直接成像可配置至低至1 µm线宽/线距，支持实时芯片错位补偿和无拼接成像。
动态直接成像 大批量生产中的直接成像 专为晶圆厂生产现场打造 内部组装与测试
为何选择LUXBEAM®用于封装
专为大批量封装打造的子系统
可配置分辨率
直接成像可覆盖封装应用所需范围——线宽/线距从6 µm至低至1 µm，与您的工艺匹配。
效率按需优化
根据应用所需效率优化曝光参数——只需告知我们基板和产量要求，即可为您定制规格。
芯片错位补偿
新一代软件可实时补偿芯片错位和翘曲变形——面板和晶圆均适用。
无拼接成像
专有软件可彻底消除拼接伪影——不受图形或基板尺寸限制。
灵活适配基板
晶圆、面板或任意所需基板形状——支持数字化数据处理和自动对焦，无固定尺寸限制。
低运营成本
低维护、高效率且可靠的子系统——提供全球支持。
可扩展性
一个子系统，适用于多种工艺
相同的LUXBEAM®曝光头可扩展用于封装及半导体相关工艺：
推荐曝光头
用于先进封装的曝光头
五款曝光头覆盖各类封装需求，线宽/线距从 6 µm 至 1 µm。可从所需的最精细线宽入手，或在完整规格表中全面比较。
LLS1000
1µm线宽 / 间距- 光源
- 405 / 375 nm laser
- Ø300 晶圆
- ~32 s · 112 wph
- 面板
- ~110 s/面 · 32 pph
LLS02
2µm线宽 / 间距- 光源
- 405 / 375 nm 激光
- Ø300 晶圆
- 60 wph
- 面板
- 20 pph
LLS03
3µm线宽 / 间距- 光源
- 405 / 375 nm激光
- Ø300 晶圆
- 102 wph
- 面板
- 32 pph
LLS05
5µm线宽 / 间距- 光源
- 405 / 375 nm激光
- Ø300 晶圆
- 132 wph
- 面板
- 85 pph
LLS06
6µm线宽 / 间距- 光源
- 405 / 375 nm LASER，或4-peak LED
- Ø300 晶圆
- 720 wph
- 面板
- 240 pph
量产成像实证
封装线路，真实成像
LUXBEAM® 曝光头在封装基板上形成光刻胶图形的真实显微图——非渲染图。打开任意图块即可查看完整图像。
光刻胶 · 显微图 2 µm L/S
LLS02 · 晶圆 2 µm L/S
LLS03 · 光学显微图 3 µm L/S
LLS1000 · 细节 < 1 µm 边缘
LUXBEAM® 子系统覆盖哪些封装工艺？
同系列曝光头可扩展应用于扇出型封装 (FOPLP/FOWLP)、RDL、凸点和异构chiplet互连，以及 HDI、FCBGA 和 MEMS。它们可在晶圆和面板上成像，并适用于 chip-first 或 chip-last 工艺流程。
可成像的最精细线宽/线距是多少？
针对先进封装，曝光头可根据您的工艺配置，实现从 6 µm 到 1 µm 的线宽/线距。系列中精度最高的是 LLS1000，可达 1 µm，用于 CPO 和光子中介层的最精细 RDL，以及玻璃芯精细 RDL。
为何选择无掩模直接成像，而非掩模？
无掩模成像直接使用数字数据，无需掩模成本，并可在不同作业间即时更改图形。软件还可实时补偿芯片错位和翘曲变形，实现无拼接成像，这两点都是固定掩模无法做到的。
效率如何确定？
效率取决于曝光头、分辨率和基板规格。以 Ø300 晶圆为例，LLS06 在 6 µm 下可达 720 wph，LLS02 在 2 µm 下可达 60 wph。告知我们基板和产量要求，我们即可据此配置曝光方案。
哪款曝光头适合我的应用？
五款曝光头覆盖各类封装需求：LLS06 (6 µm)、LLS05 (5 µm)、LLS03 (3 µm)、LLS02 (2 µm) 和 LLS1000 (1 µm)。可从所需的最精细线宽入手，再在完整规格表中进行比较。
能否作为 OEM 子系统集成到我们的设备中？
可以——这些曝光头专为作为直接成像子系统集成到您的平台而设计，支持数字数据处理和自动对焦，且不受固定基板尺寸限制。该模块维护需求低、运行可靠，并提供全球支持。
立即开始
将无掩模封装引入您的产线
请告知基板、目标线宽/线距和格式，我们通常会在两个工作日内提供推荐的曝光头及配置。