LUXBEAM® LLS03
精细RDL，达3 µm以下
先进封装主力机型：采用405 / 375 nm LASER，实现3 µm线宽/线距，每小时处理102片晶圆——适用于重布线层、IC基板及扇出型面板RDL，支持最大510 × 515 mm的晶圆和面板。
独特优势
LLS03——三项关键数据
-
3 µm线宽/线距
在晶圆及310 × 310和510 × 515 mm面板上实现90%以上的CD均匀性，并配备标准对位相机。
-
405 / 375 nm LASER
单个曝光头提供两种波长——较短波长适用于最精细几何图形和i-line光刻胶。
-
每小时102片晶圆
或在515 × 510 mm面板上实现每小时32片。效率是LLS02的三倍，线宽/线距粗一微米。
适用场景
LLS03的适用领域
RDL和中介层
适用于晶圆和面板，是大多数先进封装产线实际采用的布线密度级别。
IC基板
兼顾线宽和对位要求的积层。
CPO和FOPLP精细RDL
适用于共封装光学，以及扇出型板级封装中最精细的布线层。
打印测试——晶圆
由LLS03完成图形化，真实成像
无仿真、无营销渲染——呈现LLS03图形化光刻胶的真实显微图像。打开图块可查看完整画面。
LLS03 · 光学 3.0 µm
规格参数
LLS03——概览
成像与布局
- 分辨率
- 3 µm
- 光源
- 405 / 375 nm激光
- 效率 — Ø300 mm晶圆
- 102 wph
- 效率 — 515 × 510 mm面板
- 32 pph
- 典型应用
- RDL和中介层、IC基板、CPO、FOPLP精细RDL
- 基板 / 面板
- 晶圆、310×310、510×515
- 应用领域
- 先进封装
集成
- 冷却
- 液冷
- 图形格式
- GDSII · OASIS · ODB++ · Gerber
- 实时功能
- 定位 · 缩放 · 旋转 · 翘曲补偿 · 重新布线 · 自动对焦
相关数据仅供讨论，具体应用参数需另行确认。效率取决于光刻胶和能量密度——请将两者信息发送给我们，现场应用工程师将针对您的工艺进行验证。
为何选择Visitech
我们打造下一代设备内部的成像核心
为您的设备提供核心动力
掩模已成为过去
基于DLP的无掩模曝光，无需采购、存储或更换任何实体掩模。2 PM更改设计，3 PM即可投入生产。
垂直整合
所有关键要素均由内部完成——公差更严、迭代更快，并实现拼装式解决方案无法媲美的系统级全面优化。
久经现场验证的合作伙伴
高效率直接成像的行业标准——在全球PCB、先进封装及半导体生产中全天候运行。
自主研发设计。
全球部署与支持。
- DLP技术经验年限
- 25+
- 已部署系统
- 15 000+
- 久经现场验证的可靠性
- 24/7
LLS03在产品系列中的定位
3 µm线宽/线距，介于2 µm的LLS02和5 µm的LLS05之间。对于最精细层要求为3 µm，同时效率还需确保设备投资回报的先进封装产线，LLS03是最常见的选择。
可稳定达到怎样的效率
Ø300 mm晶圆约为每小时102片，515 × 510 mm面板约为每小时32片，均为单次曝光。以上数据供方案讨论，最终根据光刻胶和能量密度确认。
支持哪些曝光格式
晶圆，以及310 × 310和510 × 515 mm面板。
是否配备对位功能
是——标配对位相机，并通过LURIA实时补偿芯片错位。生产中的面板会随着加工发生偏移、旋转和翘曲变形；LURIA会据此调整曝光图形，而不是忽略这些变化。
在LLS03上验证的工艺能否转移至其他曝光头
可以。所有LLS曝光头均采用相同的LURIA平台，因此工艺配方可在整个系列中移植——这正是在同一产品系列内选型，而非在不同供应商之间选择的原因。
不确定该选哪款曝光头？
告诉我们您的线宽、面板和产量要求
请提供光刻胶、目标线宽/线距和格式，现场应用工程师将给出建议的曝光头及可供设备设计采用的配置方案——通常在两个工作日内回复。
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