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Visitech 技术术语表

DLP 成像、直接成像光刻与增材制造领域的术语,有一半是缩写。本术语表由设计这些硬件的工程师撰写,用通俗的语言说明每一个术语的确切含义。

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每一个术语,都在这里

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24 条术语

A

先进封装 Advanced packaging
指以高于常规封装的密度连接芯片的一系列技术——扇出、倒装、chiplet、中介层等。它正日益成为晶圆厂之外光刻难度最高的环节。

C

Chip-first Chip first
扇出工艺中先贴装并塑封芯片、再在其上制作布线的流程。速度快,但芯片在塑封过程中会发生微小位移,布线必须按芯片实际所处位置进行调整。
Chip-last Chip last
扇出工艺中先制作布线、再贴装芯片的流程。速度较慢,但布线不受芯片错位的影响。

D

芯片 Die
从制造它的晶圆上切割下来的单颗芯片。
芯片错位 Die shift
扇出工艺塑封过程中芯片偏离预定位置的微小位移。正因如此,布线层必须逐板按芯片的实际位置进行对位。

F

扇出型板级封装 Fan-out panel level packaging
在大尺寸矩形面板而非圆形晶圆上进行的扇出封装,单次处理的封装数量因此大幅提升,简称 FOPLP。
扇出型晶圆级封装 Fan-out wafer level packaging
把芯片的连接从自身轮廓向外扇出到周围塑封区域的封装方式,使小芯片能承载超出其边缘所允许数量的 I/O,简称 FOWLP。
FCBGA
倒装芯片球栅阵列的缩写:芯片正面朝下贴装到基板上,封装通过底部的锡球阵列与电路板连接。
FCCSP
倒装芯片级封装的缩写,指外形尺寸仅略大于内部芯片的倒装封装。
倒装芯片球栅阵列 Flip chip ball grid array
芯片正面朝下贴装、并通过底部锡球阵列与电路板连接的封装形式,简称 FCBGA。
倒装芯片级封装 Flip chip chip scale package
外形尺寸仅略大于内部芯片的倒装封装,简称 FCCSP。
FOPLP
扇出型板级封装的缩写,指在大尺寸矩形面板而非圆形晶圆上进行扇出封装,单次处理的封装数量因此大幅提升。
FOWLP
扇出型晶圆级封装的缩写:把芯片的连接从自身轮廓向外扇出到周围的塑封区域,使小尺寸芯片能够承载超出其边缘所允许数量的 I/O。

H

HDI
高密度互连的缩写,指采用比常规板更细的线路、更小的过孔和更多层数制造的印制电路板,以在同等面积内容纳更多连接。
异构chiplet Heterogeneous chiplet
不再把设计画成一颗大芯片,而是由多颗较小的芯片(往往来自不同工艺、不同供应商)封装在一起构成的方案。
高密度互连 High-density interconnect
采用比常规 PCB 更细线路、更小过孔和更多层数的板级结构,以在同等面积内布通更多连接。通常简称 HDI。

M

最大面板尺寸 Maximum panel size
某一光刻配置从头到尾可处理的最大基板尺寸。

O

有机基板 Organic substrate
由树脂与玻璃纤维制成的封装基板,而非陶瓷或硅。成本更低、可做成大尺寸面板,但会随温湿度变形,因此图形必须按基板实际状态进行校正。

P

面板 Panel
大尺寸矩形基板。以面板而非晶圆进行加工能提高单次产出,代价是基板更难保持平整与稳定。

S

SiP
系统级封装的缩写:将多颗芯片及常见的无源元件集成在同一封装内,使成品在电路板上表现为单一元件。
基板 Substrate
被曝光的对象的统称:面板、晶圆、电路板、封装载板等。当工艺与具体是哪一种无关时,即使用这一说法。
系统级封装 System in package
将多颗芯片及常见无源元件集成在同一封装内,使成品表现为单一元件,简称 SiP。

W

晶圆 Wafer
半导体材料制成的薄圆片,芯片即在其上制造。由于是圆形,矩形图形的四角会被浪费——这正是采用板级加工的理由之一。

Y

良率 Yield
成品中合格品所占的比例。在细间距工艺中,良率主要由对位精度与线宽控制决定——这正是成像技术价值的体现之处。

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