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Visitech 技术术语表

DLP 成像、直接成像光刻与增材制造领域的术语,有一半是缩写。本术语表由设计这些硬件的工程师撰写,用通俗的语言说明每一个术语的确切含义。

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每一个术语,都在这里

可以直接搜索术语,也可以按主题筛选。每个词条都有独立链接,方便您把想说的那条定义直接发给同事。

20 条术语

A

设计图档 Artwork
待曝光的图形数据,即来自 CAD 的版图,常见格式包括 Gerber、ODB++、GDSII 与 OASIS。

C

关键尺寸 Critical dimension
用于衡量工艺水平的关键特征尺寸——这一尺寸必须在整块基板范围内、并在不同面板之间保持一致。

D

直接成像光刻 Direct imaging lithography
无需光掩模的光刻:图形直接来自数字文件,并被写入基板。因此每块基板都可以按不同方式曝光,逐板校正也由此成为可能。

E

曝光 Exposure
既指把图形投射到基板上的动作,也指过程中施加的光剂量。图形与剂量两者都正确,该层才能按设计显影成型。
曝光速度 Exposure speed
光机在单位面积上施加所需曝光剂量的速度——在材料感光度已知的前提下,它就是产出效率指标。

F

精细 Fine-line
对线宽已细到基板自身形变与成像系统精度成为限制因素的加工的统称;在 PCB 与封装领域大致指 15 µm 及以下。

I

内层 Inner layer
多层板内部、被压合在其他层之间的导体层。内层在压合前完成曝光,因此它与后续层之间的对位精度直接决定成品板能否正常工作。

L

L/S
线宽/线距的缩写,是描述光刻工艺精细程度的标准指标:导体宽度及其旁边的间隙宽度,两者相等时通常写作一个数值,例如「15 µm L/S」。
线宽/线距 Line/space
导体宽度及其旁边的间隙宽度,是衡量光刻工艺精细程度的标准指标。两者相等时通常写作一个数值,例如「15 µm 线宽/线距」。
Line edge roughness
放大观察时曝光线条边缘的粗糙程度。当线宽细到粗糙度已占其相当比例时,这一指标尤为关键。
线宽 Line width
单个曝光图形的宽度。它在整块基板范围内与设计值的吻合程度,与对位精度并列,是评价光刻工艺的两项核心指标之一。
光刻 Lithography
利用光把图形转移到基板上的工艺。在电子制造中,导体、阻焊层等各层正是通过它在蚀刻或显影之前被定义出来的。

M

无掩模 Maskless
指不使用光掩模。无掩模工艺不需要为设计变更制作、保管、对位或更换掩模版——设计变更只是换一个文件。

O

外层 Outer layer
位于电路板表面的导体层,承载用于焊接元件的焊盘。

R

对位 Registration
指某一层与其下方一层的对位精度。当基板自上一层以来已发生拉伸或翘曲时,良好的对位意味着校正图形本身,而不是假定基板仍处在理想位置。

S

半导体 Semiconductor
导电性可被调控的材料,引申指以其制造芯片的整个产业。
阻焊层 Soldermask
覆盖在电路板铜层之上的保护层,仅在需要焊接元件处开窗。在细间距板上,这些开窗的位置精度必须与下方铜层一致。
步进式光刻机 Stepper
逐个视场曝光的光刻设备:曝光一个视场后移动基板,再曝光下一个,与在基板上连续滚动扫描的方式相对。
基板 Substrate
被曝光的对象的统称:面板、晶圆、电路板、封装载板等。当工艺与具体是哪一种无关时,即使用这一说法。

W

翘曲变形 Warping
在曝光前对图形进行变形,使其贴合已不再是设计形状的基板——按机台内实际那块面板对图档进行缩放、旋转与局部畸变校正。

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一条定义能说明的有限。请告诉我们基板类型、目标线宽/线距和数据格式,我们会说明这对您的设备意味着什么,通常在两个工作日内回复。